今天说到SSD，不同颗粒之间有什么分别到底？ 9月买了个浦科特128G的SSD，379 后来发现了个东芝240G的SSD 才420 差几十块多一倍容量 真的有关系吗？质保给力的话也没分别吧应该，不看跑分什么的 这个问题2015年问的，现在是2018年6月，市面上的MLC越来越少，反而TLC越来越多，如果不上生产成本降低，恐怕你还得用天价买高容量固态硬盘。在2015年的时候，高于128G的SSD。看都不敢看。led散热器那时候主流就是120/128。
的确，这几年来tlc的ssd越来越多了，但这是有原因的，的原因是cache越来越普及，cache越来越大，绝大多数tlc ssd跑完cache马上就原形毕露，掉速一半甚至三分之二的都大有人在。
但是作为在pc上使用的ssd，很少有人没事就写20G大文件进去，cache完全可以让tlc ssd的速度蒙混过关，哪怕qlc，也能表现的可以让人接受，速度靠cache，用完就萎了，这是现在tlc ssd的通病，而不管是之前还是现在的mlc ssd，这个问题都不严重。
不过现在低端的ssd大部分都是TLC，东芝，三星和闪迪的所谓性价比的ssd大多都是TLC，低端TLC是大势所趋。中端产品大部分都是mlc，企业级的高端产品就是用SLC。
其实现在并没有所谓原生slc的东西。一般而言，英特尔美光造出来一个闪存芯片，mlc，32g，那么可以让他在slc模式下工作，就是一片16g slc。
同理，三星造了一片多层tlc，那么他可以是tlc，比如你见到的cm871，850EVO。
另外对于现在多数的SSD而言，其屌炸天的性能是靠模拟slc而来的，不同的盘，其slc cache大小也不同。这个技术是把一部分闪存放在slc模式下，此时对这一部分闪存的读写可以达到很高的性能。去掉slc模拟之后，不同的mlc速度不同，约为接近slc盘到slc盘的一半之间，制程越先进起寿命和速度越差。tlc就不说了，性能就再折一次。
掉速问题，是闪存固有的毛病。越差的片和主控掉速越明显，当然垃圾回收策略也是一个问题。就算25nm slc片用老旧的sf2281主控他掉速也是杠杠的。
寿命上，其实很多三星tlc的1K次覆写也够一般人用了，5 6年之后寿命到那之前早就换新了。SSD几乎不怎么存在寿命问题。主流消费者更应考虑数据的稳定性问题，比如mlc可能有的家的闪存就用的好些，tlc有的是多层40nm的有的是单层19nm的，此时应该选40nm的。
寿命与稳定性问题更多见于U盘这种小容量的东西。例如我有个slc U盘，led散热器大文件读写200m每秒，很快很稳定，也不用担心数据放几个月会蒸发。然而有次用别人的tlc盘拷东西，大小都没变却打不开了，计算一下md5一个都对不上。很多低价tlc U盘都存在数据稳定性不过关的问题，尤其是体质差的黑片tlc盘。
Single-Level Cell，顾名思义，在每个存储单元中存储一位数据。这种设计可提高耐用性，准确性，性能。对于早期的企业应用程序和存储服务，SLC 是的闪存技术。当然，价格和它的安全级别一样高。
Multi-level cell 其实是个很广的定义。因为 “Multi” 意思是 “多” ，所以 MLC 可以译为多级单元架构。QLC、TLC、甚至每个单元存储 6bit 数据的 “HLC” 和存储 8bit 数据的 OLC 都属于多级单元架构。但是我们日常说的“MLC” 其实翻译成 “BLC” 更好，Binary level cell，二级单元架构，这样可以消除 ambiguity. 但是没有这么翻译，那我们也只能叫 2bit MLC 直接叫 MLC 了。它的工作原理每个单元存储两个比特。尽管将一个以上的 bit 打包到存储器单元中可以更有效的利用空间，但这个的代价是降低使用寿命和可靠性。相对而言，MLC 比 SLC更适合高端家用。
Enterprise Multi-Level Cell 是 MLC NAND 闪存的升级版，它在某种程度上弥合了 SLC 和MLC之间的性能和耐久性差距。 eMLC 驱动器的成本高于 MLC 驱动器，但远低 SLC。即使每个单元仍然存储两位，但 eMLC 的主控可以让数据读取与写入更加高效。
Third Level cell，又称 3-bit MLC，顾名思义，每个单元存储两个字节的数据，通常用于消费级电子产品，具有相对较低的性能和耐用性要求。适用于 io intensive 的应用。在 3D NAND 技术出来之前，基于 TLC 的企业级存储设备较少，一般以大容量仓库为主。但近在闪存架构方面有所改进，比如 3D NAND。使得颗粒有更强的耐久性以及更强的纠错技术，也达到了媲美 MLC 的水准，同时成本更低。
拿仓库里的架子来举例。有三个仓库，每个仓库有一个架子，每个架子都有三层，每一层叫做一个 cell. 仓库 A 需要储存 3 个箱子；仓库 B 需要储存 6 个；仓库 C 需要储存 9 个。那么平均分配，每一个 cell 分别储存 1 个，2 个和 3 个箱子。仓库 A 每一个 cell 存储 1 个箱子，也就是 1bit 数据，B 存储 2bit 以此类推...鉴于架子有“固定耐久”，所以 TLC 损耗快，因为它虽然存储密度是 SLC 的三倍，但是每次“移动”的时候都会对“架子”有摩擦。慢慢的就坏了。
用三星的840 EVO 250GB固态硬盘，TLC的，没两年，现在硬盘已坏，面临换硬盘，重装系统，重装各种应用软件的问题。你说有没有关系?刚过质保没多久就坏的,正就算没过质保，你硬盘坏了不需要重装系统，重建工作环境吗?
三者的区别在于电压位不同，物理结构是相同的。相同成本下电压位越多单位存储密度越大，读写寿命越低。
但现在即使企业级产品（例如Intel P3700/3608/3500) 也很少使用SLC，而以MLC和e-MLC为主。
SSD的耐用性和可靠性是以闪存颗粒和主控芯片构成的综合体，通过完善的设计提高性能和寿命的同时大幅降低成本。在实际使用中，主控芯片故障的概率大于闪存颗粒。
可以留意一下各类企业级产品的详细数据和专业评测几乎不提到当初讨论的很热火的P/E循环，因为单以闪存颗粒本身的寿命来预测SSD整体寿命并不合理。SSD耐用性和可靠性的指标主要有四类：总写入量（TBW/PBW）、每日写入量（DPDW）、不可修复的错误比特率（Uber）、平均无故障时间（MTBF）或年度失效率（AFR）。
另外MTBF只是参考，并不准确。led散热器电子设备实际使用中故障率是理论数据的数倍以上。一块硬盘能无故障连续跑几十上百年怎么可能。
SLC、MLC和TLC三者的差异 SLC 速度快寿数长，价格超贵（约MLC3倍以上的价格），约10万次擦写寿数 MLC 速度一般寿数一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿数 TLC 也有Flash厂家叫8LC，速度相对慢寿数相对短，价格廉价，约500次擦写寿数简略地说SLC的功能，价格超高。一般用作企业级或高端发烧友。MLC功能够用，价格适中为消费级SSD使用干流，TLC归纳功能，价格廉价。但能够经过高功能主控、主控算法来补偿、提高TLC闪存的功能。除了主控芯片和缓存芯片以外，PCB板上其他的大部分方位都是NAND Flash闪存芯片了。NAND Flash闪存芯片又分为SLC（单层单元）和MLC（多层单元）NAND闪存：1.SLC全称是单层式贮存 (Single Level Cell），因为结构简略，在写入数据时电压改变的区间小，所以寿数较长，传统的SLC NAND闪存能够饱尝10万次的读写。并且因为一组电压即可驱动，所以英特尔固态硬盘(15张)其速度表现更好，现在许多高端固态硬盘都是都选用该类型的Flash闪存芯片。2.MLC全称是多层式贮存（Multi Leveled Cell），它选用较高的电压驱动，经过不同等级的电压在一个块中记载两组位信息，这样就能够将本来SLC的记载密度理论提高一倍。作为现在在固态硬盘中使用为广泛的MLC NAND闪存，其的特色就是以更高的存储密度换取更低的存储本钱，然后能够获得进入更多终端范畴的关键。不过，MLC的缺陷也很明显，其写入寿数较短，读写方面的才能也比SLC低，官方给出的可擦写次数仅为1万次。3.TLC即Triple-cell-per-bit，因为选用三层存储单元，因而能够以较低的本钱实现更大的容量。具体来讲，SLC只要两个电平状况，MLC则为4个，TLC则多达8个，同容量下TLC的Die的尺度比MLC小33%，因而价格也廉价了33%。当然良品率等因素也会对价格产生影响。因为TLC具有多达8个电平状况，因而在电位控制上愈加杂乱，特别是写入速度会大受影响，推迟添加。加之如此多的电平状况，电子一旦溢出变会十分简单导致出错，难以控制，这就是为什么需求更强ECC纠错才能的原因，不然TLC闪存的寿数将会一触即溃。
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